MOSFET Infineon, canale N, 1,3 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale

Codice RS:: 906-4381
Codice costruttore:: BSC010N04LSATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 1,3 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale

Prezzo per 1pz in confezione da 10**

1,659 €

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Unità	Per unità	Per confezione**
10 - 40	1,659 €	16,59 €
50 - 90	1,576 €	15,76 €
100 - 240	1,509 €	15,09 €
250 - 490	1,443 €	14,43 €
500 +	1,343 €	13,43 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 906-4381
Codice costruttore:: BSC010N04LSATMA1
Costruttore:: Infineon

BSC010N04LS OptiMOS Power-MOSFET
Efficient Semiconductor Solutions for Motor Control and Drives
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	40 V
Serie	OptiMOS™ 5
Tipo di package	TDSON
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	1,3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Dissipazione di potenza massima	139 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	6.1mm
Larghezza	5.35mm
Carica gate tipica @ Vgs	95 nC a 10V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1V
Altezza	1.1mm

MOSFET Infineon, canale N, 1,3 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™5

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