2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 10 Ω, 510 mA 60 V, SOT-23, Superficie Miglioramento, 6

Codice RS:: 178-7608
Codice costruttore:: NDC7001C
Costruttore:: onsemi

2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 10 Ω, 510 mA 60 V, SOT-23, Superficie Miglioramento, 6

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

465,00 €

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Codice RS:: 178-7608
Codice costruttore:: NDC7001C
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Tipo di canale	Tipo P, Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	510mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	SOT-23
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	10Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	1.1nC
	Minima temperatura operativa	150°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	960mW
	Tensione diretta Vf	0.8V
	Configurazione transistor	Tipo isolato
	Temperatura massima di funzionamento	-55°C
	Larghezza	1.7 mm
	Lunghezza	3mm
	Altezza	1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Tipo di canale Tipo P, Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 510mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package SOT-23
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 10Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1.1nC
	Minima temperatura operativa 150°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 960mW
	Tensione diretta Vf 0.8V
	Configurazione transistor Tipo isolato
	Temperatura massima di funzionamento -55°C
	Larghezza 1.7 mm
	Lunghezza 3mm
	Altezza 1mm
	Standard/Approvazioni No
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

NDC7001C, Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET)

Il NDC7001C è un doppio MOSFET a canale N e P che è dotato della tecnologia DMOS di ON Semi. DMOS garantisce una commutazione veloce, affidabilità e resistenza allo stato attivo. Questi MOSFET sono del tipo SOT-23 con 6 pin.

Caratteristiche e vantaggi:

• Tecnologia DMOS

• Elevata corrente di saturazione

• Struttura cellulare ad alta densità

• Struttura in rame per prestazioni termiche ed elettriche superiori

I MOSFET NDC7001C sono ideali per:

• Bassa tensione

• Bassa corrente

• Commutazione

• Alimentatori

MOSFET doppio in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor

I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata Fairchild. Questo processo ad altissima densità è stato ideato per ridurre al minimo le resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.