MOSFET onsemi, canale N, P, 4 Ω, 10 Ω, 340 mA, 510 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata Fairchild. Questo processo ad altissima densità è stato ideato per ridurre al minimo le resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Il NDC7001C è un doppio MOSFET a canale N e P che è dotato della tecnologia DMOS di ON Semi. DMOS garantisce una commutazione veloce, affidabilità e resistenza allo stato attivo. Questi MOSFET sono del tipo SOT-23 con 6 pin.

• Tecnologia DMOS
• Elevata corrente di saturazione
• Struttura cellulare ad alta densità
• Struttura in rame per prestazioni termiche ed elettriche superiori

• Bassa tensione
• Bassa corrente
• Commutazione
• Alimentatori

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.