2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, 4 Ω, 510 mA 50 V, SOT-23, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:
178-7598
Codice costruttore:
NDC7002N
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

510mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

50V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

960mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1nC

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione diretta Vf

0.8V

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Lunghezza

3mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1mm

Larghezza

1.7 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET doppio in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata Fairchild. Questo processo ad altissima densità è stato ideato per ridurre al minimo le resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi


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Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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