2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, 4 Ω, 510 mA 50 V, SOT-23, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

2,01 €

(IVA esclusa)

2,45 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 7645 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 450,402 €2,01 €
50 - 950,346 €1,73 €
100 - 4950,30 €1,50 €
500 - 9950,262 €1,31 €
1000 +0,24 €1,20 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
739-0161
Codice costruttore:
NDC7002N
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

510mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

50V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione diretta Vf

0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1nC

Dissipazione di potenza massima Pd

960mW

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Larghezza

1.7 mm

Altezza

1mm

Lunghezza

3mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET doppio in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata Fairchild. Questo processo ad altissima densità è stato ideato per ridurre al minimo le resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati