MOSFET Vishay, canale N, P, 0,1 O,0,235 O, 4 A, 3,7 A, ChipFET 1206, Montaggio superficiale

Il MOSFET Vishay a doppio canale a montaggio superficiale (sia a canale P che N) è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 30V e resistenza drain-source di 65mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una potenza nominale massima di 3,1 W e 3,12 W. Il MOSFET ha correnti di drain continue di 4A e 3,7 A. È stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione.

• Senza alogeni
• senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •

• DC/DC per dispositivi portatili
• interruttore di distribuzione di carico

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007