2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 156 mΩ, 3.8 A 20 V, ChipFET, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
919-4325
Codice costruttore:
SI5935CDC-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

3.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

ChipFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

156mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

3.1W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Lunghezza

3.1mm

Altezza

1.1mm

Larghezza

1.7 mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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