2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 156 mΩ, 3.8 A 20 V, ChipFET, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 20 unità*

3,08 €

(IVA esclusa)

3,76 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 1980 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
20 +0,154 €3,08 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
818-1352
Codice costruttore:
SI5935CDC-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

3.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

ChipFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

156mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

3.1W

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.1mm

Altezza

1.1mm

Larghezza

1.7 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati