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MOSFET Vishay, canale N, P, 0,1 O,0,235 O, 4 A, 3,7 A, 1206 ChipFET, Montaggio superficiale

Codice RS:: 180-7761
Codice costruttore:: SI5504BDC-T1-E3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, P, 0,1 O,0,235 O, 4 A, 3,7 A, 1206 ChipFET, Montaggio superficiale

999999999 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Prezzo per 1pz in confezione da 10

0,734 €

(IVA esclusa)

0,895 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per confezione*
10 - 90	0,734 €	7,34 €
100 - 240	0,697 €	6,97 €
250 - 490	0,529 €	5,29 €
500 - 990	0,477 €	4,77 €
1000 +	0,404 €	4,04 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 180-7761
Codice costruttore:: SI5504BDC-T1-E3
Costruttore:: Vishay

Documentazione Tecnica

Datasheet

Normative

Paese di origine:: CN

Dettagli prodotto

MOSFET Vishay

Il MOSFET Vishay a doppio canale a montaggio superficiale (sia a canale P che N) è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 30V e resistenza drain-source di 65mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una potenza nominale massima di 3,1 W e 3,12 W. Il MOSFET ha correnti di drain continue di 4A e 3,7 A. È stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione.

Caratteristiche e vantaggi

• Senza alogeni
• senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications

• DC/DC per dispositivi portatili
• interruttore di distribuzione di carico

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	4 A, 3,7 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	1206 ChipFET
Serie	TrenchFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	0,1 O,0,235 O
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Numero di elementi per chip	2