2 MOSFET Vishay Schottky Dual Plus integrato, canale Tipo P, 0.065 Ω, 4.5 A 30 V, PowerPAK SC-70-6L, Superficie, 6 Pin

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Codice RS:
180-7339
Codice costruttore:
SIA817EDJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

4.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK SC-70-6L

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.065Ω

Tensione diretta Vf

560mV

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

6.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.6nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Configurazione transistor

Schottky Dual Plus integrato

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

2.05mm

Altezza

750μm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.05mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Vishay SIA817EDJ è un MOSFET a canale P con diodo schottky avente tensione drain-source (Vds) di -30V. Ha una configurazione schottky doppia più integrata. La tensione tra gate e source (VGS) è 12V. Ha un contenitore PAK SC-70 di potenza. Offre resistenza da drain a source (RDS.) 0,065ohm a 10VGS e 0,08ohm a 4,5 VGS. Corrente di drain massima: 4,5 A.

MOSFET di potenza Schottky Little Foot Plus

Contenitore PAK SC-70 di potenza termicamente avanzato, ingombro ridotto, bassa resistenza in stato attivo, profilo sottile di 0,75 mm

Protezione ESD tipica (MOSFET): 1500 V (HBM)

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