MOSFET Vishay, canale N, 0.0035 Ω, 40 A 30 V, PowerPAK 1212-8, Superficie, 8 Pin SIS476DN-T1-GE3

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Codice RS:
180-7361
Codice costruttore:
SIS476DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0035Ω

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.61mm

Altezza

1.12mm

Lunghezza

3.61mm

Standard/Approvazioni

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il Vishay SIS476DN è un MOSFET a canale N con tensione drain-source (Vds) di 30V. La tensione tra gate e source (VGS) è 20V. Ha un contenitore Power PAK 1212-8. Offre resistenza da drain a source (RDS.) 0,0025 ohm a 10VGS e 0,0035 ohm a 4,5 VGS. Massima corrente di drain 40A.

MOSFET di potenza Trench FET gen IV

Testato al 100% Rg e UIS

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