2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 0.052 Ω, 6.5 A 60 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin SI4946BEY-T1-E3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7732
Codice costruttore:
SI4946BEY-T1-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.052Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.2nC

Dissipazione di potenza massima Pd

3.7W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Duale

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Larghezza

4 mm

Altezza

1.75mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET Vishay


Il MOSFET a canale N doppio per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 60V. Ha una resistenza drain-source di 41mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una corrente di drain continua DI 6,5 A e una potenza nominale massima di 3,7 W. È dotato di un'applicazione negli interruttori di carico per dispositivi portatili. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg testato

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