MOSFET Vishay, canale N, 0,052 O, 6,5 A, SO-8, Montaggio superficiale

Il MOSFET a canale N doppio per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 60V. Ha una resistenza drain-source di 41mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una corrente di drain continua DI 6,5 A e una potenza nominale massima di 3,7 W. È dotato di un'applicazione negli interruttori di carico per dispositivi portatili. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

• Senza alogeni
• senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg testato