MOSFET Vishay, canale N, P, 0,072 O,0,15 O., 5,3 A,3,9 A., SO-8, Montaggio superficiale

Il MOSFET Vishay a doppio canale a montaggio superficiale (sia a canale P che N) è un prodotto di nuova generazione con una resistenza drain-source di 58mohm a una tensione gate-source di 10V. È dotato di una tensione drain-source di 60V. Ha correnti di drain continue di 5,3 a e 3,9 A. Ha una potenza nominale massima di 3,4 W. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità. Non è applicabile negli inverter CCFL.

• Senza alogeni
• senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg testato
• UIS testato