2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo P, Tipo N, 0.58 Ω, 5.3 A 60 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin SI4559ADY-T1-E3
- Codice RS:
- 180-7294
- Codice costruttore:
- SI4559ADY-T1-E3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 180-7294
- Codice costruttore:
- SI4559ADY-T1-E3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.58Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.4W | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | IEC 61249-2-21 | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Larghezza | 4mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.58Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.4W | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21 | ||
Altezza 1.75mm | ||
Larghezza 4mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay
Il MOSFET Vishay a doppio canale a montaggio superficiale (sia a canale P che N) è un prodotto di nuova generazione con una resistenza drain-source di 58mohm a una tensione gate-source di 10V. È dotato di una tensione drain-source di 60V. Ha correnti di drain continue di 5,3 a e 3,9 A. Ha una potenza nominale massima di 3,4 W. È stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità. È applicabile negli inverter CCFL.
Caratteristiche e vantaggi
• Senza alogeni
• senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •
Certificazioni
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg testato
• UIS testato