2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo P, Tipo N, 0.58 Ω, 5.3 A 60 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin SI4559ADY-T1-E3

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Codice RS:
180-7294
Codice costruttore:
SI4559ADY-T1-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.58Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

3.4W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Altezza

1.75mm

Larghezza

4mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21

Lunghezza

5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET Vishay a doppio canale a montaggio superficiale (sia a canale P che N) è un prodotto di nuova generazione con una resistenza drain-source di 58mohm a una tensione gate-source di 10V. È dotato di una tensione drain-source di 60V. Ha correnti di drain continue di 5,3 a e 3,9 A. Ha una potenza nominale massima di 3,4 W. È stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità. È applicabile negli inverter CCFL.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg testato

• UIS testato

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