MOSFET di potenza TrenchFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 0.335 Ω Miglioramento, 1.7 A, 3 Pin, TO-236, Superficie

Codice RS:: 180-7990
Codice costruttore:: SQ2309ES-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza TrenchFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 0.335 Ω Miglioramento, 1.7 A, 3 Pin, TO-236, Superficie

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Codice RS:: 180-7990
Codice costruttore:: SQ2309ES-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza TrenchFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	1.7A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	TO-236
	Serie	TrenchFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.335Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	8.5nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	2W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	3.04mm
	Standard/Approvazioni	AEC-Q101, IEC 61249-2-21, RoHS (2002/95/EC)
	Larghezza	2.64 mm
	Altezza	1.12mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET di potenza TrenchFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 1.7A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package TO-236
	Serie TrenchFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.335Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.5nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 2W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 3.04mm
	Standard/Approvazioni AEC-Q101, IEC 61249-2-21, RoHS (2002/95/EC)
	Larghezza 2.64 mm
	Altezza 1.12mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 15,5 Mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una corrente di drain continua di 50A e massima dissipazione di potenza di 136W. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo transistore sono rispettivamente 4,5 V e 10V. È utilizzato in applicazioni automobilistiche. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.

Contenitore da • con bassa resistenza termica

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications

• interruttore adattatore

• interruttori di carico

Certificazioni

• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testato

• UIS testato