MOSFET Vishay, canale P, 0,314 O, 2,2 A, TO-236, Montaggio superficiale

Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 80V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 290mohm a una tensione gate-source di 4,5 V. Ha una dissipazione di potenza massima di 3W e una corrente di drain continua di 2,2 A. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo MOSFET è 6V e 10V rispettivamente. È utilizzato in applicazioni automobilistiche. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

• Senza alogeni
• senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •

• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg testato
• UIS testato