MOSFET Vishay, canale Tipo P 12 V, 92 mΩ Miglioramento, 3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SQ2315ES-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
819-3901
Codice costruttore:
SQ2315ES-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Tipo di package

SOT-23

Serie

SQ Rugged

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

92mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.4nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.4 mm

Altezza

1.02mm

Lunghezza

3.04mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, serie SQ Rugged, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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