MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.16 Ω, 32 A 500 V, TO-247AC, 3 Pin IRFP32N50KPBF
- Codice RS:
- 180-8335
- Codice costruttore:
- IRFP32N50KPBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 180-8335
- Codice costruttore:
- IRFP32N50KPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 32A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Tipo di package | TO-247AC | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.16Ω | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 190nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 460W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Standard/Approvazioni | RoHS 2002/95/EC | |
| Larghezza | 15.87mm | |
| Lunghezza | 16.25mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 32A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Tipo di package TO-247AC | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.16Ω | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 190nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 460W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Standard/Approvazioni RoHS 2002/95/EC | ||
Larghezza 15.87mm | ||
Lunghezza 16.25mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay
Il MOSFET Vishay è un contenitore a canale N, TO-247AC-3 è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-sorgente di 500 V e una tensione massima gate-sorgente di 30 V. Ha una resistenza drain-source di 160 mohm a una tensione gate-source di 10 V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 460 W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di commutazione e di conduzione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza e una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• Capacità completamente caratterizzata e tensione e corrente di valanga
• Gate, valanga e dV/dt dinamici migliorati
• Componente senza piombo (Pb)
• La bassa carica del gate Qg si traduce in un semplice requisito di azionamento
• RDS basso (on)
• Temperature d'esercizio comprese tra -55 °C e 150 °C
Applicazioni
• Commutazione rigida e circuiti ad alta frequenza
• Commutazione di alimentazione ad alta velocità
• Alimentatore switching (SMPS)
• Alimentatori ininterrotti
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