1 MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo P, 7 Ω, 1.8 A 400 V, TO-252, Superficie, Foro passante, 3 Pin IRFR9310PBF

Codice RS:: 180-8348
Codice costruttore:: IRFR9310PBF
Costruttore:: Vishay

1 MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo P, 7 Ω, 1.8 A 400 V, TO-252, Superficie, Foro passante, 3 Pin IRFR9310PBF

Prezzo per 1 tubo da 75 unità*

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Codice RS:: 180-8348
Codice costruttore:: IRFR9310PBF
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	1.8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	400V
	Tipo di package	TO-252
	Tipo montaggio	Superficie, Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	7Ω
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	13nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	50W
	Configurazione transistor	Singolo
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS-compliant
	Lunghezza	9.65mm
	Numero elementi per chip	1
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 1.8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 400V
	Tipo di package TO-252
	Tipo montaggio Superficie, Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7Ω
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 50W
	Configurazione transistor Singolo
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS-compliant
	Lunghezza 9.65mm
	Numero elementi per chip 1
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio 400 V, corrente di drenaggio continua massima 1,8 A - IRFR9310PBF

Questo MOSFET è un transistor di potenza a canale P progettato per attività di commutazione e controllo ad alta tensione nei sistemi elettronici industriali. È progettato per il montaggio superficiale o a foro passante e offre una configurazione a transistor a elemento singolo adatta per stadi di potenza discreti. Il dispositivo funziona in un'ampia gamma di temperature ed è classificato per una corrente continua moderata, il che lo rende applicabile nei casi in cui è richiesta una commutazione compatta ad alta tensione.

Caratteristiche e vantaggi:

• Capacità di drenaggio-sorgente 400 V che consente applicazioni ad alta tensione
• Resistenza di accensione di 7 Ω per perdite di conduzione prevedibili
• corrente continua di 1,8 A che supporta correnti di carico moderate
• Dissipazione di potenza di 50 W per una gestione termica sostanziale
• Carica gate tipica 13 nC per un controllo di commutazione gestibile
• Gate drive massimo di 20 V che consente una progettazione flessibile del gate-drive

Applicazioni

• Adatto per la commutazione di potenza ad alta tensione nell'automazione industriale
• Ideale per la commutazione del carico a canale P nelle topologie di alimentazione
• Utilizzato per stadi di transistor discreti nell'elettronica di controllo motore
• Può essere utilizzato per la protezione e l'isolamento dei circuiti nei sistemi elettrici

Quali stili di contenitore sono disponibili per il montaggio su circuito stampato o la prototipazione?

Il dispositivo è fornito in un contenitore TO-252 e supporta opzioni di montaggio superficiale e a foro passante per adattarsi a diversi layout di schede e esigenze di prototipazione.

In che modo le prestazioni termiche influiscono sulle scelte di installazione?

Con una temperatura di giunzione massima di 150 °C e una dissipazione nominale di 50 W, è necessario includere una gestione termica adeguata, come ad esempio un dissipatore di calore o un'area in rame, per mantenere temperature di esercizio sicure in caso di carichi sostenuti.

Quali limiti dell'azionamento del gate devono essere rispettati durante la progettazione dei circuiti di controllo?

La tensione gate-sorgente non deve superare 20 V, pertanto i driver gate e i circuiti di spostamento di livello devono essere specificati per rimanere entro questa soglia.

Ci sono considerazioni ambientali o normative per l'uso negli assemblaggi?

Il componente è conforme alla direttiva RoHS, il che ne consente l'uso in assemblaggi in cui si applicano direttive sulle sostanze soggette a restrizioni.