1 MOSFET Vishay Singolo, canale N, 1 Ω, 5.5 A 400 V IRF730ASPBF
- Codice RS:
- 180-8303
- Codice costruttore:
- IRF730ASPBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 180-8303
- Codice costruttore:
- IRF730ASPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 400V | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 22nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 74W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Lunghezza | 9.65mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Larghezza | 10.67mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 400V | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 74W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Altezza 4.83mm | ||
Lunghezza 9.65mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Larghezza 10.67mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay
Il MOSFET Vishay è un contenitore a canale N, il TO-263-3 è un prodotto di nuova generazione con una tensione sorgente di scarico di 400 V e una tensione sorgente di gate massima di 30 V. È dotato di una resistenza sorgente di scarico di 10 mohm a una tensione sorgente di gate di 10 V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 74 W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di commutazione e di conduzione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza e una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• Capacità completamente caratterizzata e tensione e corrente di valanga
• Componente senza alogeni e piombo (Pb)
• Gate, valanga e dV/dt dinamici migliorati
• La bassa carica del gate Qg si traduce in un semplice requisito di azionamento
• Temperature d'esercizio comprese tra -55 °C e 150 °C
• MOSFET di potenza TrenchFET
Applicazioni
• Commutazione di alimentazione ad alta velocità
• Alimentatore switching (SMPS)
• Alimentatori ininterrotti