1 MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo N, 1 Ω, 5.5 A 400 V IRF730ASPBF

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Codice RS:
180-8303
Codice costruttore:
IRF730ASPBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

400V

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1Ω

Tensione diretta Vf

1.6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Dissipazione di potenza massima Pd

74W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Singolo

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

9.65mm

Standard/Approvazioni

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Altezza

4.83mm

Larghezza

10.67 mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET Vishay è un contenitore a canale N, il TO-263-3 è un prodotto di nuova generazione con una tensione sorgente di scarico di 400 V e una tensione sorgente di gate massima di 30 V. È dotato di una resistenza sorgente di scarico di 10 mohm a una tensione sorgente di gate di 10 V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 74 W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di commutazione e di conduzione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza e una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Capacità completamente caratterizzata e tensione e corrente di valanga

• Componente senza alogeni e piombo (Pb)

• Gate, valanga e dV/dt dinamici migliorati

• La bassa carica del gate Qg si traduce in un semplice requisito di azionamento

• Temperature d'esercizio comprese tra -55 °C e 150 °C

• MOSFET di potenza TrenchFET

Applicazioni


• Commutazione di alimentazione ad alta velocità

• Alimentatore switching (SMPS)

• Alimentatori ininterrotti

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