1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo N, 1.4 Ω, 5 A 500 V, 3 Pin

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Codice RS:
180-8670
Codice costruttore:
IRF830ALPBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

74W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Configurazione transistor

Singolo

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

9.65mm

Standard/Approvazioni

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Altezza

4.83mm

Larghezza

10.67 mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET Vishay è un contenitore a canale N, il TO-263-3 è un prodotto di nuova generazione con una tensione sorgente di scarico di 500 V e una tensione sorgente di gate massima di 30 V. È dotato di una resistenza sorgente di scarico di 1,4 mohm a una tensione sorgente di gate di 10 V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 74 W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di commutazione e di conduzione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza e una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Capacità completamente caratterizzata e tensione e corrente di valanga

• Senza alogeni

• Gate, valanga e dV/dt dinamici migliorati

• Componente senza piombo (Pb)

• La bassa carica del gate Qg si traduce in un semplice requisito di azionamento

• Temperature d'esercizio comprese tra -55 °C e 150 °C

• MOSFET di potenza TrenchFET

Applicazioni


• Commutazione di alimentazione ad alta velocità

• Alimentatore switching (SMPS)

• Alimentatori ininterrotti

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