1 MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo P, 7 Ω, 1.8 A 400 V, Superficie, Foro passante
- Codice RS:
- 180-8772
- Codice costruttore:
- IRFR9310PBF
- Costruttore:
- Vishay
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-8772
- Codice costruttore:
- IRFR9310PBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 400V | |
| Tipo montaggio | Superficie, Foro passante | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 7Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 50W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Lunghezza | 9.65mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS-compliant | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 400V | ||
Tipo montaggio Superficie, Foro passante | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 50W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Lunghezza 9.65mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS-compliant | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay
Il MOSFET Vishay a canale P è un prodotto di nuova generazione con una tensione sorgente di scarico di 400 V e una tensione sorgente di gate massima di 20 V. È dotato di una resistenza sorgente di scarico di 7 ohm a una tensione sorgente di gate di 10 V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 50 W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di commutazione e conduzione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza e una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• Tecnologia di processo avanzata
• Commutazione rapida
• Completamente resistente a valanghe
• Componente senza alogeni e piombo (Pb)
• Categorizzazione del materiale
• Temperature d'esercizio comprese tra -55 °C e 150 °C
Applicazioni
• Caricabatterie
• Inverter
• Alimentatori
• Alimentatore in modalità switching (SMPS)
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