MOSFET onsemi, canale N, 2,3 mΩ, 222 A, TO-220F, Su foro

Questo MOSFET MV canale N è prodotto utilizzando il processo avanzato PowerTrench® di ON Semiconductor che incorpora la tecnologia con gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

Max RDS(on) = 2,3 mΩ a VGS = 10 V, ID = 222 A
Densità di potenza e gate schermato
Tecnologia Trench ad alte prestazioni per RDS(on) a bassissima resistenza
Elevata densità di potenza con tecnologia con gate schermato
Carica di recupero inverso estremamente bassa, Qrr
Funzione snubber interno contro i picchi di tensione Vds bassa.
Bassa carica di gate, QG = 108nC (tip.)
Bassa perdita di commutazione
Elevata capacità di gestione della potenza e della corrente
Qrr/Trr bassi
Prestazioni di recupero graduale
Raddrizzamento sincrono per ATX / server / postazione di lavoro / alimentatore per telecomunicazioni / adattatore e alimentatori industriali.
Azionamenti e gruppi di continuità
Micro inverter solare
Server
Telecomunicazioni
Informatica (ATX, postazione di lavoro, adattatore, alimentatori industriali, ecc.)
Azionamento
Gruppi di continuità