MOSFET onsemi, canale N, 2,3 mΩ, 222 A, TO-220F, Su foro

Name: MOSFET onsemi, canale N, 2,3 mΩ, 222 A, TO-220F, Su foro
Brand: onsemi
SKU: 181-1911
Price: 7.49 EUR
Availability: InStock

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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	222 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	TO-220F
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	45 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.36mm
Carica gate tipica @ Vgs	108 nC a 10 V
Larghezza	4.9mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Tensione diretta del diodo	1.3V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	16.07mm

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	222 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	TO-220F
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	45 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.36mm
Carica gate tipica @ Vgs	108 nC a 10 V
Larghezza	4.9mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Tensione diretta del diodo	1.3V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	16.07mm