MOSFET DiodesZetex, canale N 60 V, 24 mΩ Miglioramento, 46.9 A, 4 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 2500 unità, in una bobina da 2500*

575,00 €

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700,00 €

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Codice RS:
182-6943
Codice costruttore:
DMTH6016LK3-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

46.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

DMTH6016LK3

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

24mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

60W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.7mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.2mm

Altezza

2.26mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET di nuova generazione è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Valore nominale a +175°C - ideale per alta temperatura ambiente

Ambienti

Bassa resistenza RDS(ON) - assicura perdite in stato attivo ridotte

Eccellente Qgd x RDS(ON) prodotto (FOM)

Finitura senza piombo

Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico.

Funzioni di gestione dell'alimentazione

Convertitori cc-cc

retroilluminazione

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