MOSFET DiodesZetex, canale N, 18 mΩ, 80 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
182-7152
Codice costruttore:
DMNH6011LK3-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

80 A

Tensione massima drain source

55 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

18 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2V

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

3,2 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

±12 V

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+175 °C

Lunghezza

6.7mm

Larghezza

6.2mm

Carica gate tipica @ Vgs

49,1 nC a 10V

Tensione diretta del diodo

1.2V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Standard per uso automobilistico

AEC-Q101

Altezza

2.26mm

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET di nuova generazione è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Valore nominale a 175 °C - ideale per ambienti ad alta temperatura
Commutazione induttiva sbloccata al 100% - garantisce una applicazione finale più affidabile e robusta
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità d'ingresso
Finitura senza piombo
Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico
Applicazioni
Alimentatori
Controllo motori
Convertitori cc-cc

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