MOSFET DiodesZetex, canale P, 137 mΩ, 3,8 A, U-DFN2020, Montaggio superficiale

Codice RS:: 182-7162
Codice costruttore:: DMP2075UFDB-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 137 mΩ, 3,8 A, U-DFN2020, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 182-7162
Codice costruttore:: DMP2075UFDB-7
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet DMP2075UFDB-7

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	3,8 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	U-DFN2020
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	137 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.4V
Tensione di soglia gate minima	0.35V
Dissipazione di potenza massima	1,4 W
Tensione massima gate source	±8 V
Numero di elementi per chip	2
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	15 nC a 8V
Lunghezza	2.07mm
Larghezza	2.07mm
Altezza	0.55mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET DiodesZetex, canale P, 137 mΩ, 3,8 A, U-DFN2020, Montaggio superficiale

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