1 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo P, 0.9 Ω, 3.2 A 20 V, UDFN, Superficie Miglioramento, 6 Pin DMP2090UFDB-7
- Codice RS:
- 213-9199
- Codice costruttore:
- DMP2090UFDB-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 confezione da 100 unità*
26,60 €
(IVA esclusa)
32,50 €
(IVA inclusa)
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- 2700 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | 0,266 € | 26,60 € |
| 200 - 200 | 0,26 € | 26,00 € |
| 300 - 400 | 0,255 € | 25,50 € |
| 500 - 900 | 0,236 € | 23,60 € |
| 1000 + | 0,213 € | 21,30 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 213-9199
- Codice costruttore:
- DMP2090UFDB-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Serie | DMP2090UFDB | |
| Tipo di package | UDFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.9Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | -0.7V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.39W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Standard/Approvazioni | MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Altezza | 0.57mm | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Larghezza | 2 mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Serie DMP2090UFDB | ||
Tipo di package UDFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.9Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf -0.7V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.39W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Standard/Approvazioni MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Altezza 0.57mm | ||
Lunghezza 2mm | ||
Larghezza 2 mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
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