- Codice RS:
- 184-4709
- Codice costruttore:
- BVSS138LT1G
- Costruttore:
- onsemi
30000 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 100
0,095 €
(IVA esclusa)
0,116 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per Pack* |
100 - 900 | 0,095 € | 9,50 € |
1000 - 2900 | 0,067 € | 6,70 € |
3000 - 8900 | 0,052 € | 5,20 € |
9000 - 23900 | 0,044 € | 4,40 € |
24000 + | 0,043 € | 4,30 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 184-4709
- Codice costruttore:
- BVSS138LT1G
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
MOSFET di potenza per auto ideale per applicazioni a basso consumo. 50 V, 200 mA, 3,5 Ohm, singolo canale N, SOT-23, livello logico, senza Pb. Compatibile PPAP per applicazioni nel settore automobilistico.
Tensione di soglia bassa (VGS(th): 0,5 V-1,5 V)
Contenitore miniaturizzato per montaggio superficiale
Facile da guidare con basse tensioni
Consente di risparmiare spazio sulla scheda
Applicazioni
Interruttore di bassa potenza
Interruttore digitale
Qualsiasi applicazione automobilistica a bassa corrente
Prodotti finali
Infotainment (intrattenimento, sistemi multimediali e di navigazione, ecc.)
Moduli di Controllo Corpo (BCM, chiavi di telecomando, gateway, sistemi LF, HVAC, ecc.)
Sistemi di sicurezza
Contenitore miniaturizzato per montaggio superficiale
Facile da guidare con basse tensioni
Consente di risparmiare spazio sulla scheda
Applicazioni
Interruttore di bassa potenza
Interruttore digitale
Qualsiasi applicazione automobilistica a bassa corrente
Prodotti finali
Infotainment (intrattenimento, sistemi multimediali e di navigazione, ecc.)
Moduli di Controllo Corpo (BCM, chiavi di telecomando, gateway, sistemi LF, HVAC, ecc.)
Sistemi di sicurezza
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 200 mA |
Tensione massima drain source | 50 V |
Tipo di package | SOT-23 |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 10 Ω |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 1.5V |
Tensione di soglia gate minima | 0.85V |
Dissipazione di potenza massima | 225 mW |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | ±20 V |
Numero di elementi per chip | 1 |
Lunghezza | 3.04mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Larghezza | 1.4mm |
Altezza | 1.01mm |
Standard per uso automobilistico | AEC-Q101 |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Link consigliati
- MOSFET onsemi 6 Ω SOT-23, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 3 220 mA Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 3 200 mA Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 5 Ω SOT-23, Montaggio superficiale
- MOSFET Nexperia 4 200 mA Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 2 200 mA Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 2 Ω SOT-23, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 3.5 Ω SOT-23, Montaggio superficiale