MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 4.5 mΩ Miglioramento, 103 A, 5 Pin, DFN, Superficie NVMFS6H824NT1G

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Codice RS:
185-9162
Codice costruttore:
NVMFS6H824NT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

103A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

DFN

Serie

NVMFS6H824N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

38nC

Dissipazione di potenza massima Pd

115W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.1mm

Altezza

1.05mm

Lunghezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Non conforme

Paese di origine:
MY
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Opzione Wettable Flank disponibile per una migliore ispezione visiva. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.

Ingombro ridotto (5x6 mm)

Bassa resistenza RDS(on)

QG e capacità bassi

NVMFS6H818NWF - Opzione Flank bagnabile

Capacità PPAP

Design compatto

Riduzione al minimo delle perdite di conduzione

Riduce le perdite di driver

Ispezione visiva migliorata

Automotive qualificato

Applicazioni

Commutazione degli alimentatori

Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)

Sistemi da 48 V

Prodotti finali

Controllo motori

Interruttore di carico

Convertitore CC/CC

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