MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 4.5 mΩ Miglioramento, 103 A, 5 Pin, DFN, Superficie NVMFS6H824NT1G
- Codice RS:
- 185-9162
- Codice costruttore:
- NVMFS6H824NT1G
- Costruttore:
- onsemi
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 185-9162
- Codice costruttore:
- NVMFS6H824NT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 103A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | NVMFS6H824N | |
| Tipo di package | DFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 38nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 115W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 1.05mm | |
| Lunghezza | 5.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 103A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie NVMFS6H824N | ||
Tipo di package DFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 38nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 115W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 1.05mm | ||
Lunghezza 5.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Non conforme
- Paese di origine:
- MY
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Opzione Wettable Flank disponibile per una migliore ispezione visiva. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.
Ingombro ridotto (5x6 mm)
Bassa resistenza RDS(on)
QG e capacità bassi
NVMFS6H818NWF - Opzione Flank bagnabile
Capacità PPAP
Design compatto
Riduzione al minimo delle perdite di conduzione
Riduce le perdite di driver
Ispezione visiva migliorata
Automotive qualificato
Applicazioni
Commutazione degli alimentatori
Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)
Sistemi da 48 V
Prodotti finali
Controllo motori
Interruttore di carico
Convertitore CC/CC
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