MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 640 μΩ Miglioramento, 553.8 A, 8 Pin, DFN, Superficie
- Codice RS:
- 186-1286
- Codice costruttore:
- NVMTS0D4N04CLTXG
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
13.920,00 €
(IVA esclusa)
16.980,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 4,64 € | 13.920,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 186-1286
- Codice costruttore:
- NVMTS0D4N04CLTXG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 553.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | DFN | |
| Serie | NVMTS0D4N04CL | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 640μΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 163nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 244W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 8.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.15mm | |
| Larghezza | 8 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 553.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package DFN | ||
Serie NVMTS0D4N04CL | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 640μΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 163nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 244W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 8.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.15mm | ||
Larghezza 8 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Non conforme
MOSFET di potenza per auto in un package flat-lead da 8x8 mm progettato per design compatti ed efficienti e con elevate prestazioni termiche. Opzione Wettable Flank disponibile per una migliore ispezione visiva. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.
Piccolo ingombro (8x8 mm)
Bassa resistenza RDS(on)
QG e capacità bassi
Opzione con fiancata bagnabile
Capacità PPAP
Design compatto
Riduzione al minimo delle perdite di conduzione
Riduce le perdite di driver
Ispezione visiva migliorata
Applicazioni
Protezione dalle inversioni di polarità della batteria
Commutazione degli alimentatori
Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)
Prodotti finali
Comando motore - EPS, tergicristalli, ventole, sedili, ecc
. Interruttore di carico - ECU, telaio, corpo