MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 640 μΩ Miglioramento, 553.8 A, 8 Pin, DFN, Superficie NVMTS0D4N04CLTXG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
186-1334
Codice costruttore:
NVMTS0D4N04CLTXG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

553.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

NVMTS0D4N04CL

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

640μΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

244W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

163nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

8.1mm

Altezza

1.15mm

Larghezza

8mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Non conforme

MOSFET di potenza per auto in un package flat-lead da 8x8 mm progettato per design compatti ed efficienti e con elevate prestazioni termiche. Opzione Wettable Flank disponibile per una migliore ispezione visiva. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.

Piccolo ingombro (8x8 mm)

Bassa resistenza RDS(on)

QG e capacità bassi

Opzione con fiancata bagnabile

Capacità PPAP

Design compatto

Riduzione al minimo delle perdite di conduzione

Riduce le perdite di driver

Ispezione visiva migliorata

Applicazioni

Protezione dalle inversioni di polarità della batteria

Commutazione degli alimentatori

Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)

Prodotti finali

Comando motore - EPS, tergicristalli, ventole, sedili, ecc

. Interruttore di carico - ECU, telaio, corpo

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