MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 480 μΩ Miglioramento, 533 A, 8 Pin, DFN, Superficie NTMTS0D6N04CTXG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
186-1348
Codice costruttore:
NTMTS0D6N04CTXG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

533A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

DFN

Serie

NTMTS0D6N04C

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

480μΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

187nC

Dissipazione di potenza massima Pd

245W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.15mm

Larghezza

8mm

Lunghezza

8.1mm

Standard automobilistico

No

Non conforme

Ingombro ridotto (8x8 mm) per il design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Questi dispositivi sono senza piombo, alogeni o BFR

Applicazioni tipiche

Attrezzi per l'alimentazione, batterie non funzionanti

UAV/Droni, gestione materiali

BMS/Storage, Domotica

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