MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 850 μΩ Miglioramento, 313 A, 8 Pin, DFN, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

2283,00 €

(IVA esclusa)

2784,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 13 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,761 €2.283,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
195-2663
Codice costruttore:
NTMFSC0D9N04CL
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

313A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

850μΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

143nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.95mm

Lunghezza

5.9mm

Larghezza

5 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET a canale N è prodotto utilizzando il processo Advanced Power Trench® DI ON Semiconductor. I progressi nelle tecnologie del contenitore in silicio e Dual Cool™ sono stati combinati per offrire la RDS(ON) più bassa e, al contempo, eccellenti prestazioni di commutazione grazie alla resistenza termica da giunzione a ambiente estremamente bassa.

Top e Bottom sono esposte in piedinatura standard 5x6mm

Migliore dissipazione termica attraverso il lato Top e Bottom del contenitore

Rds(on) ultra bassa

Perdita di conduzione ridotta

Capacità ridotte e induttanza del contenitore

Perdita di commutazione ridotta

Applicazione

Raddrizzatore sincrono in alimentatori c.a.-c.c. e c.c.-c.c.

Interruttore Del Motore

Interruttore di carico

Link consigliati