MOSFET onsemi, canale N, 850 μΩ, 313 A, DFN, Montaggio superficiale

Questo MOSFET a canale N è prodotto utilizzando il processo Advanced Power Trench® DI ON Semiconductor. I progressi nelle tecnologie del contenitore in silicio e Dual Cool™ sono stati combinati per offrire la RDS(ON) più bassa e, al contempo, eccellenti prestazioni di commutazione grazie alla resistenza termica da giunzione a ambiente estremamente bassa.

Top e Bottom sono esposte in piedinatura standard 5x6mm
Migliore dissipazione termica attraverso il lato Top e Bottom del contenitore
Rds(on) ultra bassa
Perdita di conduzione ridotta
Capacità ridotte e induttanza del contenitore
Perdita di commutazione ridotta
Applicazione
Raddrizzatore sincrono in alimentatori c.a.-c.c. e c.c.-c.c.
Interruttore Del Motore
Interruttore di carico