MOSFET onsemi, canale N 40 V, 850 μΩ Miglioramento, 313 A, 8 Pin, DFN, Superficie NTMFSC0D9N04CL

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
195-2664
Codice costruttore:
NTMFSC0D9N04CL
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

313A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

850μΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

143nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

950μm

Lunghezza

5.9mm

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET a canale N è prodotto utilizzando il processo Advanced Power Trench® DI ON Semiconductor. I progressi nelle tecnologie del contenitore in silicio e Dual Cool™ sono stati combinati per offrire la RDS(ON) più bassa e, al contempo, eccellenti prestazioni di commutazione grazie alla resistenza termica da giunzione a ambiente estremamente bassa.

Top e Bottom sono esposte in piedinatura standard 5x6mm

Migliore dissipazione termica attraverso il lato Top e Bottom del contenitore

Rds(on) ultra bassa

Perdita di conduzione ridotta

Capacità ridotte e induttanza del contenitore

Perdita di commutazione ridotta

Applicazione

Raddrizzatore sincrono in alimentatori c.a.-c.c. e c.c.-c.c.

Interruttore Del Motore

Interruttore di carico

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