MOSFET onsemi, canale N 40 V, 660 μΩ Miglioramento, 554.5 A, 8 Pin, DFN, Superficie NTMTS0D6N04CLTXG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
186-1352
Codice costruttore:
NTMTS0D6N04CLTXG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

554.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

NTMTS0D6N04CL

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

660μΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

245.4W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

126nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.15mm

Larghezza

8mm

Lunghezza

8.1mm

Standard automobilistico

No

Non conforme

Ingombro ridotto (8x8 mm) per il design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Questi dispositivi sono senza piombo, alogeni o BFR

Applicazioni tipiche

Attrezzi per l'alimentazione, batterie non funzionanti

UAV/Droni, gestione materiali

BMS/Storage, Domotica

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