MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 660 μΩ Miglioramento, 554.5 A, 8 Pin, DFN, Superficie NTMTS0D6N04CLTXG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
186-1352
Codice costruttore:
NTMTS0D6N04CLTXG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

554.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

NTMTS0D6N04CL

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

660μΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

245.4W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

126nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

8.1mm

Larghezza

8 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.15mm

Standard automobilistico

No

Non conforme

Ingombro ridotto (8x8 mm) per il design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Questi dispositivi sono senza piombo, alogeni o BFR

Applicazioni tipiche

Attrezzi per l'alimentazione, batterie non funzionanti

UAV/Droni, gestione materiali

BMS/Storage, Domotica

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