MOSFET onsemi, canale N, 2,2 mΩ, 200 A, LFPAK8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 195-2508
Codice costruttore:: NVMJS1D5N04CLTWG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 2,2 mΩ, 200 A, LFPAK8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,623 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,623 €	1.869,00 €

**prezzo indicativo

Confronta

Codice RS:: 195-2508
Codice costruttore:: NVMJS1D5N04CLTWG
Costruttore:: onsemi

Datasheet NVMJS1D5N04CLTWG

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	200 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	LFPAK8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	2,2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	110 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	70 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	4.9mm
Altezza	1.15mm
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 2,2 mΩ, 200 A, LFPAK8, Montaggio superficiale

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