MOSFET onsemi, canale N 40 V, 2.2 mΩ Miglioramento, 200 A, 8 Pin, LFPAK, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

3186,00 €

(IVA esclusa)

3888,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +1,062 €3.186,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
195-2504
Codice costruttore:
NTMJS1D5N04CLTWG
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

200A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

LFPAK

Serie

NTMJS1D5N04CL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.9mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.15mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza per uso industriale in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche.

Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Contenitore Lfpak8, Standard Industriale

Questi dispositivi sono senza piombo

Link consigliati