MOSFET onsemi, canale N 40 V, 2.2 mΩ Miglioramento, 200 A, 8 Pin, LFPAK, Superficie NTMJS1D5N04CLTWG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
195-2505
Codice costruttore:
NTMJS1D5N04CLTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

200A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

LFPAK

Serie

NTMJS1D5N04CL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.15mm

Larghezza

4.9mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza per uso industriale in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche.

Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Contenitore Lfpak8, Standard Industriale

Questi dispositivi sono senza piombo

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