MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 8.1 mΩ Miglioramento, 49 A, 4 Pin, LFPAK, Superficie NTMYS8D0N04CTWG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
195-2527
Codice costruttore:
NTMYS8D0N04CTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

49A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

NTMYS8D0N04C

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

38W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.25mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.15mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza per uso industriale in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche.

Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Contenitore Lfpak4, Standard Industriale

Questi dispositivi sono senza piombo

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