MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 8.1 mΩ Miglioramento, 49 A, 4 Pin, LFPAK, Superficie NVMYS8D0N04CTWG

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Codice RS:
195-2541
Codice costruttore:
NVMYS8D0N04CTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

49A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

LFPAK

Serie

NVMYS8D0N04C

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Dissipazione di potenza massima Pd

38W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.25 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Altezza

1.15mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con DPAK ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni automobilistiche che richiedono una maggiore affidabilità a livello di scheda

Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Contenitore Lfpak4, Standard Industriale

Capacità PPAP

Questi dispositivi sono senza piombo

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