MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 0.87 mΩ Miglioramento, 313 A, 8 Pin, DFN, Superficie

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Codice RS:
195-8977
Codice costruttore:
NVMFSC0D9N04C
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

313A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.87mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

166W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

86nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

6.25mm

Lunghezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

0.95 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a canale N a doppia potenza di raffreddamento On Semiconductor in contenitore con cavo piatto 5x6mm progettato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. In questa opzione con fiancata bagnabile è disponibile per una migliore ispezione ottica.

Advanced dual−confezionamento raffreddato su entrambi i lati

Ingombro ridotto per un design compatto

RDS(ON) ultra bassa per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

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