MOSFET Vishay, canale Tipo N 250 V, 180 mΩ Miglioramento, 11.5 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
200-6793
Codice costruttore:
SQD10950E_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Serie

SQD10950E

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

180mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

62W

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

10.41mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Vishay SQD10950E_GE3 è un MOSFET a 175 °C 250V (D-S) a canale N per uso automobilistico.

MOSFET di potenza TrenchFET®

Contenitore con bassa resistenza termica

100 % Rg e collaudato UIS

Qualifica AEC-Q101

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