MOSFET Vishay, canale N, 0,18 Ω, 0,162 Ω, 11,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 200-6793
Codice costruttore:: SQD10950E_GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 0,18 Ω, 0,162 Ω, 11,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 200-6793
Codice costruttore:: SQD10950E_GE3
Costruttore:: Vishay

Document- SQD10950E_GE3

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	11,5 A
Tensione massima drain source	250 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Serie	AEC-Q101, Automotive, TrenchFET®
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	0,18 Ω, 0,162 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Numero di elementi per chip	1

MOSFET Vishay, canale N, 0,18 Ω, 0,162 Ω, 11,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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