MOSFET onsemi, canale Tipo N 150 V, 4 mΩ Miglioramento, 185 A, 7 Pin, TO-263, Superficie NTBGS4D1N15MC

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Codice RS:
202-5693
Codice costruttore:
NTBGS4D1N15MC
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

185A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

TO-263

Serie

NTB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

88.9nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

316W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

0.6mm

Standard/Approvazioni

Pb-Free, RoHS

Lunghezza

9.2mm

Larghezza

9.9 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N singolo ON Semiconductor è in funzione con 185 Ampere e 150 V. Può essere utilizzato in utensili elettrici, aspiratori a batteria, UAV/droni, movimentazione materiali, BMS/stoccaggio, automazione domestica.

Bassa resistenza da drain a source ON

Riduce il rumore di commutazione

Senza piombo

Senza alogeni

Conformità RoHS

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