MOSFET onsemi, canale Tipo N 150 V, 4 mΩ Miglioramento, 121 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

2383,20 €

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Codice RS:
202-5694
Codice costruttore:
NTBGS6D5N15MC
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

121A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

TO-263

Serie

NTB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

57nC

Dissipazione di potenza massima Pd

238W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.2mm

Altezza

15.7mm

Larghezza

4.7 mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N singolo ON Semiconductor è dotato di 121 Ampere e 150 V. Può essere utilizzato in utensili elettrici, aspiratori a batteria, UAV/droni, movimentazione materiali, BMS/stoccaggio, automazione domestica.

Bassa resistenza da drain a source ON

Riduce il rumore di commutazione

Senza piombo

Senza alogeni

Conformità RoHS

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