MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 28 mΩ Miglioramento, 102 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante NVH4L020N120SC1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5735
Codice costruttore:
NVH4L020N120SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

102A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

TO-247

Serie

NVH

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

28mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

510W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

220nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

22.74mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101 and PPAP Capable

Larghezza

5.2 mm

Lunghezza

15.8mm

Standard automobilistico

No

MOSFET in carburo di silicio (SiC), canale N - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, MOSFET in carburo di silicio TO247−4L, N?Canale, 1200 V, 20 m?, TO247?4L


Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 102 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in applicazioni automobilistiche di ricarica a bordo scheda, convertitori CC/CC.

Certificazione AEC Q101

Possibilità di processo di approvazione delle parti di produzione

Testato con effetto valanga al 100%

Capacità di uscita effettiva bassa

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