Transistor MOSFET onsemi, canale N, 0,028 Ω, 102 A, TO-247-4, Su foro

Codice RS:: 202-5735
Codice costruttore:: NVH4L020N120SC1
Costruttore:: onsemi

Transistor MOSFET onsemi, canale N, 0,028 Ω, 102 A, TO-247-4, Su foro

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Prezzo per Unità

47,62 €

(IVA esclusa)

58,10 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità
1 - 9	47,62 €
10 - 24	46,33 €
25 - 99	45,11 €
100 - 249	43,96 €
250 +	42,86 €

Codice RS:: 202-5735
Codice costruttore:: NVH4L020N120SC1
Costruttore:: onsemi

Documentazione Tecnica

Datasheet - NVH4L020N120SC1

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET in carburo di silicio (SiC), canale N - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, MOSFET in carburo di silicio TO247−4L, N?Canale, 1200 V, 20 m?, TO247?4L

Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 102 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in applicazioni automobilistiche di ricarica a bordo scheda, convertitori CC/CC.

Certificazione AEC Q101
Possibilità di processo di approvazione delle parti di produzione
Testato con effetto valanga al 100%
Capacità di uscita effettiva bassa

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	102 A
Tensione massima drain source	1200 V
Tipo di package	TO-247-4
Serie	NVH
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	0,028 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.3V
Materiale del transistor	SiC
Numero di elementi per chip	1