MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 4 mΩ Miglioramento, 110 A, 8 Pin, DFN, Superficie NVMFS6H824NLT1G

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Codice RS:
202-5749
Codice costruttore:
NVMFS6H824NLT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

DFN

Serie

NVM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

52nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

116W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

6.3mm

Lunghezza

5.3mm

Larghezza

1.1 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a canale N on Semiconductor è in funzione con 110 Ampere e 80 V. Ha un ingombro ridotto per un design compatto con bassa RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione.

Certificazione AEC Q101

Conformità RoHS

Senza piombo

Opzione con fiancata bagnabile

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