Modulo di potenza SiC STMicroelectronics, canale N, 0,52 Ω, 12 A, HiP247, Su foro

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è prodotto sfruttando le proprietà Advanced e innovative dei materiali a larga banda proibita. Ciò si traduce in una resistenza all'accensione insuperabile per unità di superficie e ottime prestazioni di commutazione quasi indipendenti dalla temperatura. Le eccezionali proprietà termiche del materiale SiC, combinate con il contenitore del dispositivo nel contenitore HiP247 proprietario, consentono ai progettisti di utilizzare un profilo standard industriale con una capacità termica notevolmente migliorata. Queste caratteristiche rendono il dispositivo perfettamente adatto per applicazioni ad alta efficienza ed elevata densità di potenza.

Variazione molto stretta della resistenza in stato attivo rispetto a. Temperatura
Capacità di temperatura di giunzione d'esercizio molto elevata (TJ = 200 °C)
Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto
Bassa capacitanza