2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 0.0094 Ω, 69.7 A 30 V, PowerPAIR 3 x 3, Superficie Miglioramento, 9 Pin

Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, in quanto è stato sospeso dal produttore.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7213
Codice costruttore:
SiZ340ADT-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

69.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SiZ340ADT

Tipo di package

PowerPAIR 3 x 3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

9

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0094Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.1nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

31W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Altezza

0.75mm

Lunghezza

3mm

Larghezza

3 mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

I MOSFET a doppio canale N Vishay da 30 V (D-S) sono uno stadio di potenza MOSFET half-bridge integrato PowerPAIR.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati