MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 15.6 mΩ Miglioramento, 25.5 A, 4 Pin, SO-8, Superficie

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Codice RS:
204-7216
Codice costruttore:
SiJ128LDP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

25.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

SO-8

Serie

SiJ128LDP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

15.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

22.3W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.14 mm

Lunghezza

5.25mm

Altezza

6.25mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay N-Channel da 80 V (D-S) è dotato di un Qg e Qoss molto bassi che riducono la perdita di potenza e migliorano l'efficienza. Ha un Qg e Qoss molto bassi che riducono la perdita di potenza e migliorano l'efficienza.

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