2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 700 mΩ, 800 mA 30 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin DMN3401LDW-7
- Codice RS:
- 206-0084
- Codice costruttore:
- DMN3401LDW-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,054 € | 162,00 € |
| 9000 - 21000 | 0,053 € | 159,00 € |
| 24000 - 42000 | 0,052 € | 156,00 € |
| 45000 + | 0,05 € | 150,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 206-0084
- Codice costruttore:
- DMN3401LDW-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 800mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | US | |
| Serie | DMN3401 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 700mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.35W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 2.15mm | |
| Altezza | 0.95mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 800mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package US | ||
Serie DMN3401 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 700mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.35W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 2.15mm | ||
Altezza 0.95mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET dual in modalità potenziata a canale N DiodesZetex 30V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 20 V con dissipazione di potenza termica di 0,29 W.
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità di ingresso
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