2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 700 mΩ, 800 mA 30 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin DMN3401LDW-7

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Codice RS:
206-0084
Codice costruttore:
DMN3401LDW-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

800mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

DMN3401

Tipo di package

US

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

700mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

0.35W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.5nC

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.15mm

Larghezza

1.3 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.95mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Paese di origine:
CN
Il MOSFET dual in modalità potenziata a canale N DiodesZetex 30V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 20 V con dissipazione di potenza termica di 0,29 W.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità di ingresso

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